氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长的铟镓氮(InGaN)半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理，计算分析了In_xGa_1-xN 薄膜的厚度；结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4.42%。结果表明用反射光谱的方法测量In_xGa_1-xN薄膜的厚度是可行的。