ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响
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Influence of Hole Buffer Layer ZnO on Properties of Organic Light-Emitting Devices
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    本文利用无机材料ZnO 作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ ZnO/ NPB/ Alq3 / Al 的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655 系统测量器件的电压鄄电流鄄亮度特性。研究结果表明,当ZnO 薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1郾65 cd/ A,最大亮度为3 449 cd/ m2 ;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/ m2 ,最大电流效率为0.46 cd/ A。由此可以看出,加入ZnO 空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97 倍,最大电流效率提高3.59 倍。分析认为适当厚度的ZnO 薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。

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引用本文

贾许望, 关云霞, 牛连斌, 黄琳琳, 刘德江, 傅小强
. ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响
[J].重庆师范大学学报自然科学版,2012,(2):72-76

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