利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al 薄膜,继而N 离子注入实现薄膜的Al-N 共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X 射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X 射线光电能谱仪(XPS) 等手段对ZnO 薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N 共掺杂ZnO 薄膜在578 益退火8 min 表现出较稳定的p 型导电,其载流子数高达1伊1018 ~6*10 18 个·cm-3 ,对应的电阻率为1 -9 ·cm,迁移率为1 ~ 2 cm2 ·V-1 ·s-1 。与单掺N相比,实现p 型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al 的掺入有关。此外,XPS 测试结果证实大量的Ni取代O 空位是薄膜p 型导电的根本原因。