SiNx薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜,所以对SiNx 薄膜的光学性质研究很有必要。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p 型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352 nm 光源激发下,每个样品有2 个发光位置,所有样品总共观测到了4 处不同的发光峰位:390、471、545、570 nm,并且发现温度对390 nm 处的发光峰位置无影响。由于杂质的引入在带间形成了局域化的缺陷能级,缺陷态能级和导带以及价带之间的跃迁是其主要的跃迁机制。因此,可以通过控制薄膜的生长条件来控制各个缺陷态密度,从而可以实现氮化硅薄膜在可见光范围内的可控发光。