第一性原理研究Bi2Te3材料及在应变作用下的电子结构变化 <br />

doi:10.11721/cqnuj20160510

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第一性原理研究Bi2Te3材料及在应变作用下的电子结构变化 
DOI:
                        10.11721/cqnuj20160510
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:盐城幼儿师范高等专科学校 信息技术系,江苏 盐城 224000;中国矿业大学 材料学院,江苏 徐州, 221116 ;江苏师范大学 物理与电子工程学院,江苏 徐州 221116 
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First-principle Investigations of the Electronic Structure of Bi2Te3 under Strain

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通过第一性原理系统地研究了Bi2Te3块体和薄膜的电子结构及其在应变下的电子结构变化。计算结果表明:Bi2Te3块体属于直接带隙半导体,宽度约为0.177eV,Bi2Te3单QL(Quintuplelayer)薄膜则呈现间接带隙特征,带隙值约为1.031eV;在不超过3%的应变作用下,块体和薄膜材料的能带结构不受影响,但带隙宽度随应变增加成线性变化关系。

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管建祥,陈磊,朱士泽,段连威
.第一性原理研究Bi2Te3材料及在应变作用下的电子结构变化
[J].重庆师范大学学报自然科学版,2016,(5):133-137

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